德国投入巨资用于开发氮化铝衬底技术

据柏林费迪南德-布朗恩高频技术研究所（FBH）消息，德国联邦教育和研究部将在2023年之前出资330万欧元，用于推动由FBH领导并集合了包括弗劳恩霍夫（Fraunhofer）等研究机构和高校在内参与的基于氮化铝薄膜的功率晶体管 联合项目。

早期项目的氮化铝缓冲开关晶体管

该项目旨在开发氮化铝ALN作为新的半导体材料，包括对其进行测试和完成系统应用集成等在内的工作。而开展这项研究的初衷则是提升资源利用效率。据相关统计数据显示，仅在欧洲，由于数据系统越来越多的应用，电能转换过程中的损耗每年超过3万亿瓦时。因此，能源高效转换成为人工智能和工业4.0等第四次工业革命成功的关键。实现这一点的先决条件是高功率半导体。

功率损耗由相应材料决定。基于较为成熟的氮化镓技术，与目前通用的半导体衬底材料碳化硅、蓝宝石、硅片相比，氮化铝的相关研究非常少。但是它本身具有一极高的击穿强度和热导率，理论传导损耗比硅小10000倍，位错密度比碳化硅低5个数量级，这些潜力也给该项研究提供了足够理由。

整个价值链包括从氮化铝晶圆再到毫米波系统和电子电力系统，其中FBH主要负责氮化铝元件设计和开发；弗劳恩霍夫负责氮化铝晶体生长和晶圆制备；其余参与者还有勃兰登堡理工大学、柏林理工大学、弗里德里希亚历山大大学纽伦堡分校等等。

在我国氮化铝的研究已取得阶段性进展，凯发k8国际研发实力位居全球前列，国际一流团队已有10余年技术积累，领衔建设高水平研究平台，汇聚来自全球半导体领域的顶尖科学家和资深工程师 ，攻克关键核心技术，开展前瞻性基础研究、引领性科技成果重大突破。近日，凯发k8国际成功在硅上制备高质量氮化铝（AlN）薄膜XRC＜0.9°，表面粗糙度Rq＜1.2 nm ，高质量氮化铝薄膜助力氮化镓（GaN)实现大尺寸、高质量、低成本。目前，我们提供专业高品质的氮化铝薄膜代工服务，欢迎洽谈合作！