美国 DARPA宣布：金刚石基氮化镓取得突破性成果

DARPA 计划在军用无线电中使用 GaN-on-Diamond

由于工作温度决定了微电子的可靠性，因此 GaN 器件保持热阻至关重要。值得注意的是，业界首个使用金刚石基氮化镓晶片的 GaN 晶体管，可大幅降低半导体温度，同时保持高射频性能。

美国国防高级研究计划局 (DARPA) 称赞了金刚石基 GaN 研究计划，该计划在管理热量如何影响关键射频设备方面取得了突破性成果。在众多潜在应用中，DARPA 预计将用于军用无线电和使用放大器的各种电子产品。

简而言之，结果令人兴奋——证明散热性能提高了三倍，同时保留了 RF 功能。这一成就支持将技术尺寸缩小或将输出功率提高三倍——对于使设备更小和/或更强大的非常有用的信息。

根据 DARPA 项目经理 Avram Bar Cohen 的说法，“几乎所有射频系统都可以从金刚石基 GaN 放大器带来的更高功率、更高效率和更小尺寸的组合中受益。”