金刚石半导体具有超宽禁带(5.45 eV)、高击穿场强(10 MV/cm)、高载流子饱和漂移速度、高热导率等材料特性,以及优异的器件品质因子,采用金刚石材料研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件,克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技术瓶颈,在5G/6G通信,微波/毫米波集成电路、探测与传感等领域发展起到重要作用。金刚石半导体被公认为是最具前景的新型半导体材料,被业界誉为“终极半导体材料”。
散热性能是金刚石材料与生俱来的,其热导率和电学特性优势十分显著,没有任何明显短板,其热导率可达2000W/(m·K),是铜、银的5倍,又是良好的绝缘体,这也使得金刚石器件拥有更高的功率处理能力,也意味着采用金刚石微波功率器件的电子系统有望摆脱庞大笨重的散热模块而实现轻量化、小型化。此外,在热导率要求1000~2000W/m·k之间,金刚石是首选以及唯一可选热沉材料。
目前高功率半导体激光器普遍使用的散热材料是氮化铝热沉,将其作为过渡热沉烧结在铜热沉上。目前人造金刚石热沉的热导率最高已经达到1800W/m·k以上,远远大于氮化铝和铜的热导率。将其作为过渡热沉,将提高器件的散热能力,减少热阻,提高激光器输出功率,延长激光器寿命。
随着新能源汽车的爆发,IGBT也获得了高关注。作为新能源车的电机驱动部分最核心的元件,电动汽车用IGBT模块的功率导电端子需要承载数百安培的大电流,对电导率和热导率有较高的要求,为大幅提高IGBT功率密度、散热性能与长期可靠性,高效的散热方案尤其重要。
凯发k8国际致力于为客户解决大功率器件散热问题,为客户提供高效的散热解决方案,金刚石热沉片的热导高达1000-2200W/(m.K),凯发k8国际的产品已经应用于大功率LED,激光器,军工,航空航天,雷达,5G通讯,新能源汽车,新能源光伏等诸多领域。目前有成熟的产品金刚石晶圆、金刚石热沉片、金刚石窗口片、金刚石异质集成复合衬底、AlN 薄膜等。